Физические эффекты и явления
Шрифт:
А.С.N 224151 Способ испытания органических жидкостей на электролизацию например нефтепродуктов, путем создания в них трением электростатического потенциала,отличающийся тем,что с целью одновременного определения скорости образования и скорости утечки возникающих зарядов,образование зарядов происходит путем вращения твердого тела,помещенного в иследуемую жидкость.
Другой интересный пример - электростатический коатулятор. Он педназначен для очистки воздуха в штреках. Вентилятор гонит по трубе запыленный воздух . Труба разделяется на два рукова один из фторопласта, другой- из оргстекла. Пылинки антрацита трущиеся о стенки , заряжаются поразному: на фторопласте положительно,на
9.1.2. При контакте металла с проводником наблюдается
в е н т и л ь н ы й эффект. Контктный слой на границе металла и полупроводника обладает односторонней проводимостью, что используется,например, для выпрямления переменного тока в точечных диодах. При кополу проводников разных типов проводимости образуется р-п п е р е х о д, также обладающий вентильными свойствами. Это явление используется во многих типах полупроводниковых приборов.
9.2. В металлах полупроводниках процессы переноса зарядов (электрический ток) и энергии взаимосвязаны,так как осуществляются посредством перемещения подвижных носителей тока электронов проводимости и дырок. Эта взаимосвязь обуславливает ряд явлений (Зеебека,Пельтье, и Томсона),которые называют т е р м о э л е к т р и ч е с к и м и явлениями.
9.2.1. Эффект Зеебека состоит в том,что в замкнутой электрической цепи из разнородных металлов возникает т е р м о э.д.с. если места контактов поддерживаются при разных температурах. Эта ЭДС зависит только от температуры и от природы материалов, составляющих термоэлемент. Термо э.д.с. для пар металлов может достигать 50 мкВ/градус; в случае полупроводниковых материалов величина термо э д с выше (10 во 2-ой + 10 в 3-ей мкВ/градус).
А.С. N 263969: Электротермический способ дефектоскопии заключающийся в том,что контролируемую зону нагревают пропуская через нее в течение определенного времени постоянный по величине электрический ток,измеряютпри помощи термопары-датчика температуры ее нагрева и судят о наличии дефекта по отклонению этой температуры от температуры нагрева бездефектной зоны сварного соединения, отличающийся тем , что с целью контроля зоны сварного соединения двух разных металлов, например, контактных узлов радиодеталей, в качестве термопары-датчика используют термопару, образованную соединенными металлами.
Для проверки качества сварного шва снимают распределение термоэлектрического потенциала поперек шва . Пики и впадинылс ш0,0щ на кривых распределения говорят о неоднородности шва, а их величина - о степени неоднородности. Быстро и наглядно.
Если в разрыв одной из ветвей термоэлемента включить последовательно любое число проводников любого состава,все спаи (контакты) которых поддерживаются при одной и тойже температуре, то термо э.д.с. в такой системе будет равна термоэдс исходного элемента.
А.С. N 531042: Термопара, содержащая защитный чехол,термоэлектроды с электрической изоляцией, рабочие концы которых снабжены снабжены токопроводящей перемычкой ,образующей измерительный спай,отличающийсятем,что с целью увеличения срока службы термопары в условиях повышенной вибрации и больших скоростей нагрева, измерительный спай термопары выполнен в виде слоя порошкообразного металла ,расположенного на дне защитного чехла.
При измерении физического состояния веществ , участвующих в контакте изменяется и величина термо э.д.с.
А.С.N 423024:Способ распознавания систем с ограниченной и неограниченной взаимной растворимостью компонентов по температурной зависимости термо э.д.с.,отличающейся тем,что с целью повышения надежности распознавания измеряют термо э.д.с.
контакта двух исследуемых образцовМежду металлом , сжатым всесторонем давлением, и темже металлом, находящемся при нрмальном давлении тоже возникает термо э.д.с.
Например , для железа при температуре 100 градусов С и давлении 12 кбар,термоэдс равна 12,8 мкВ .При насыщении металла или сплава в магнитном поле относитель тогоже вещества без магнитного поля возникает термоэдс порядка 09мкВ/градус
9.2.2 Эффект П е л ь т ь е обратен эффекту Зеебека.
При прохожд тока через спай различных металлов кроме джоудева тепла доплнительно выделяется или поглощается, в зависимости от направления тока,некоторое колличество тепловых (спай сурьма-висьмут при 20градусах С -10,7мкал/Кулон).При этом колличество теплоты пропорционально первой степени тока.
Патент США N 3757151: Для увеличения отношение сигнал шум ФЭУ предлогается способ охлаждения фотокатодов термоэлектрическими элементами,расположенными внутри вакуумной оболочки ФЭУ.
Заявка ФРГ N 1297902: Холодильник устройства для отбора газа, в котором отвод конденсата составляет одно целое с холодильником. На внутренней стороне полого конуса закреплены холодные спаи элементов Пельтье и от него ответвляется трубопровод для отбора измерительнонго газа. Холодильник,отличается тем,что в качестве генератора тока,потребляемыми элементами Пельтье,предусмотрена батарея термоэлементов,горячие спаи которых находятся в канале дымовых газов,а холодные спаи - во внешнем пространстве.
9.2.3. Явлением Томсона называют выделение или поглощение теплоты,избыточнойнад джоулевой,при прохождении тока по неравномерно нагретому однородному проводнику или полупроводнику.
9.3. При контакте тел с вакуумом или газами наблюдается электронная эмиссия - выпускание электронов телами под влиянием внешних воздействий: нагревания (теплоэлектронная эмиссия) потока фотонов (фотоэмиссия),потока электронов (вторичная эмиссия),потока ионов,сильного электрического поля (автоэлектронная или холодная эмиссия),механических или других "портящих структуру" воздействий (акзоэлектронная эмиссия)
Во всех видах эмиссий , кроме автоэлектронной, роль внешних воздействий сводится к увеличению энергетии части электронов или отдельных электронов тела до значения,позволяющего им преодолеть потенциальный порог на границе тела с последующим выходом и вакуум или другую среду.
А.С.N 226040:Способ контроля глубины нарушенного поверхностного слоя полупроводниковых пластин, отличающихся тем,что с целью обеспечения возможности автоматизации и упрощения поцесса контроля,пластину нагревают до температуры ,соответствующей максимуму э к з о э л е к т р о н н о й э м и с с и , которую контролируют одним из известных способов , а по положению пика эмиссии определяют глубину нарушенного слоя.
А.С.N 513460: Э л е к т р о н н а я т у р б и н а,
содержащая помещенные в вкуумный баллон катод и анод и размещенный между ними ротор с лопастями, отличающийся тем, что с целью увеличения крутящегося моментана валу турбины ее ротор вполнен ввиде набора соосных цилиндров с лпастями, между цилиндрами роторов установлены неподвижные направляющие лопатки имеют покрытие, обеспечивающее вторичную электронную эмиссию, например, сурьмяно-цезиевое.
9.3.1. В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электрическое поле превращают потенциалный порог на границе тела в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно высоты первоначального порога,вследствии чего становиться возможным квантовомеханическое тунелирование электронов сквозь барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии электрическим полем.