Интернет-журнал "Домашняя лаборатория", 2008 №2

Схема, показанная на рис. 3, будет работать при входных сигналах, которые по крайней мере на 5 В меньше, чем U_ynp. При более высоком уровне входного сигнала напряжение затвор-исток будет недостаточным для поддержания ПТ в открытом состоянии, а отрицательные входные сигналы вызовут включение ключа даже при заземленном затворе (при этом появится прямое смещение перехода канал-подложка). Если надо переключать сигналы обеих полярностей (например, в диапазоне от -10 до +10 В), то можно применить такую же схему, но с затвором, управляемым напряжением -15 В (ВЫКЛ) и +15 В (ВКЛ); подложка ПТ при этом должна быть подсоединена к напряжению -15 В.

Для любого ключа на ПТ сопротивление нагрузки должно быть не слишком высоким, чтобы предотвратить емкостное прохождение входного сигнала в разомкнутом состоянии, которое имело бы место при большом сопротивлении. Сопротивление нагрузки выбирается компромиссным. Малое сопротивление уменьшит емкостную утечку, но вызовет ослабление входного сигнала из-за делителя напряжения, образованного сопротивлением проводящего ПТ R_вкл и сопротивлением нагрузки. Так как R_вкл меняется с изменением входного сигнала (при изменении напряжения затвор-исток), это ослабление приведет к некоторой нежелательной нелинейности. Слишком низкое сопротивление нагрузки проявляется также и на входе ключа, нагружая источник входного сигнала.

Часто необходимо переключать сигналы, сравнимые по величине с напряжением питания. В этом случае описанная выше простая схема (рис. 3) работать не будет, поскольку при пиковом значении сигнала затвор не будет иметь смещения в прямом направлении. Переключение таких сигналов обеспечивают переключатели на комплиментарных МОП-транзисторах (КМОП, рис. 4). Здесь на подложку VT1 подается положительное напряжение питания +U, а на подложку VT2 отрицательное напряжение —U. При высоком уровне (лог. 1) управляющего сигнала VT1 пропускает сигналы с уровнями от —U до U минус несколько вольт (при более высоких уровнях сигнала R_вкл начинает сильно расти). Аналогично VT2 при заземленном затворе (на входе управления лог. 0) пропускает сигнал с уровнями от U до значения на несколько вольт выше уровня —U.

Рис. 4. Ключ на комплиментарных МОП-транзисторах

Таким образом, все сигналы в диапазоне от —U до U проходят через схему с малым сопротивлением (рис. 5). Переключение управляющего сигнала на уровень земли запирает оба ПТ, размыкая цепь. В результате получается аналоговый переключатель для сигналов в диапазоне от —U до U. Это основа схемы большинства КМОП-ключей. Эта схема работает в двух направлениях — любой ее зажим может служить входным.

Рис. 5. Зависимость сопротивления ключа на КМОП транзисторах от входного напряжения

Выпускается большое количество интегральных КМОП-ключей в разных конфигурациях (например, несколько секций с несколькими полюсами каждая). Многие интегральные ключи очень удобны в употреблении. Они используют управляющий сигнал с уровнями ТТЛ, оперируют аналоговыми сигналами до ±15 В и имеют малое сопротивление (у некоторых — до 6 Ом). Типичными примерами отечественных микросхем аналоговых ключей являются микросхемы К176КТ1, К561КТ3 и ряд других.

ПАРАМЕТРЫ АНАЛОГОВЫХ КЛЮЧЕЙ

Аналоговые ключи на ПТ имеют сопротивление во включенном состоянии от 6 до 500 Ом, а иногда даже больше. В комбинации с емкостью подложки и паразитными емкостями это сопротивление образует фильтр нижних частот (рис. 6), ограничивающий рабочие частоты значениями порядка 10 МГц и даже ниже. Полевые транзисторы с меньшим R_вкл обычно имеют большую емкость (у некоторых ключей до 50 пФ и более), так что выигрыша в скорости нарастания сигнала они не дают.

Рис. 6. Эквивалентная схема аналогового КМОП-ключа в замкнутом состоянии

Значительная доля ограничения частотной характеристики вызвана элементами защиты — последовательными токоограничивающими резисторами и шунтирующими диодами, присутствующими в структуре КМОП-микросхем. Существуют варианты аналоговых ключей, обеспечивающих пропускание сигналов более высокой частоты, что достигается за счет отказа от некоторых видов защиты. Например, избранные КМОП-ключи оперируют аналоговыми сигналами в обычном диапазоне ±15 В и имеют полосу пропускания 400 МГц.

Сопротивление в открытом (включенном) состоянии. Ключи КМОП, работающие от относительно высокого напряжения питания (скажем, 15 В), будут иметь относи тельно малые значения R_вкл во всем диапазоне значений сигнала, так как всегда тот или другой проводящий транзистор будет иметь прямое смещение затвора, равное по крайней мере половине напряжения питания (рис. 5). Но при меньшем напряжении питания сопротивление ключа будет расти, и максимум его имеет место при уровне сигнала, среднем между напряжением питания и землей (или между двумя напряжениями питания при двуполярном питании).

При уменьшении напряжения питания сопротивление ПТ во включенном состоянии становится значительно выше, так как для достижения малых значений R_вкл требуется напряжение затвор-исток не меньше чем 5-10 В. Параллельное сопротивление двух ПТ растет при уровне сигнала, среднем между напряжением питания и землей. Пик сопротивления при напряжении входного сигнала, равном половине напряжения источника питания, будет увеличиваться по мере уменьшения напряжения питания. Поэтому при достаточно низком напряжении питания ключ для сигналов с уровнем около половины напряжения питания будет представлять разомкнутую цепь.

Имеются различные приемы, которые разработчики интегральных аналоговых ключей применяют, чтобы сохранить значение R_вкл малым и примерно постоянным во всем диапазоне измерения сигналов. На рис. 7 и 8 представлены типовые зависимости сопротивления во включенном состоянии аналогового ключа от напряжения его источника питания при одно- и двуполярном питании соответственно.

Рис. 7. Зависимость R_вкл типичного серийно выпускаемого ключа от входного напряжения U_вх при однополярном напряжении питания V

Рис. 8. Зависимость R_вкл типичного серийно выпускаемого ключа от входного напряжения U_вх при двуполярном напряжении питания V

Паразитные ёмкости. Ключи на ПТ обладают следующими паразитными емкостями: между входом и выходом (С_си), между каналом и землей (С_с, С_и), между затвором и каналом С_з, между двумя ПТ в пределах одного кристалла (С_сс, С_ии); см. рис. 9. Рассмотрим, какие эффекты они вызывают.