Справочник по параметрам BIOS
Шрифт:
SDRAM Page Closing Policy (Настройка закрытия страниц SDRAM)
Обычные опции: One Bank, All Banks.
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Precharge Control.
Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).
Настройка One Bank (Один банк) вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда
Настройка All Banks (Все банки) вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти. Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция One Bank позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения All Banks содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку One Bank, чтобы улучшить производительность памяти. Значение All Banks способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.
SDRAM Page Hit Limit (Ограничение запросов для страниц SDRAM)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Мы не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.
SDRAM PH Limit (Ограничение запросов SDRAM PH)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16
циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.SDRAM Precharge Control (Управление обновлением SDRAM)
Обычные опции: Enabled, Disabled.
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Page Closing Policy.
Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).
Настройка Enabled вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операций считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания.
Настройка Disabled вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти. Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция Enabled позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения Disabled содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку Enabled, чтобы улучшить производительность памяти. Значение Disabled способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.
SDRAM RAS Precharge Delay (Задержка обновления SDRAM AS)
Обычные опции: 2, 3, 4, 5.
Эта функция BIOS задает количество циклов, которое требуется RAS, чтобы обновиться перед активацией другой строки. Если время обновления RAS слишком велико, это может привести к снижению производительности, так как активация всех строк задерживается. При уменьшении периода обновления до 2 производительность повышается, потому что новая строка будет активирована раньше.
Однако времени обновления 2 может быть недостаточно для некоторых модулей памяти. В таких случаях активная строка может потерять свое содержимое, так как оно возвращается в банк памяти, а строка деактивируется. Это может привести к потере или повреждению данных в момент, когда контроллер памяти пытается считывать данные из активной строки или записывать их.
Чтобы получить оптимальную производительность, уменьшите значение функции SDRAM RAS Precharge Delay до 2. Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение до 3 или 4.