Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия
Шрифт:
Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства — РПЗУ или EPROM — до недавних пор были самыми распространенными носителями BIOS как на системных платах, так и в адаптерах, а также использовались в качестве знакогенераторов. Наиболее популярные микросхемы имеют восьмибитную организацию и обозначение вида 27xx-tt или 27Cxx-tt для микросхем CMOS. Здесь xx определяет емкость в килобитах: 2708 — 1 К×8 — родоначальник семейства, 2716/32/64/128/256/512 имеют емкость 2/4/8/16/32/64 Кбайт соответственно, 27010 и 27020 — 128 и 256 Кбайт. Время доступа tt лежит в диапазоне 50–250 нс. Шестнадцатибитные микросхемы (например, 27001 или 27002 емкостью 64 К или 128 К 16-битных слов) в PC применяются редко.
Микросхемы EPROM тоже программируются на программаторах, но относительно простой интерфейс записи позволяет их программировать и в устройстве (но не в штатном его режиме работы, а при подключении внешнего программатора). Стирание микросхем осуществляется ультрафиолетовым облучением в течение нескольких минут. Специально для стирания микросхемы имеют стеклянные окошки. После программирования эти окошки заклеивают, предотвращая стирание под действием солнечного или люминесцентного облучения. Время стирания зависит от расстояния до источника облучения, его мощности и объема микросхемы (более емкие микросхемы стираются быстрее). Вместо штатных стирающих устройств можно
Некоторые микросхемы, похожие по виду и обозначению на стираемые ультрафиолетом, не имеют окна (они упакованы в дешевый пластмассовый корпус). Эти микросхемы либо стираются рентгеновским облучением (что не совсем удобно), либо допускают лишь однократно программирование, которое может выполняться и по заказу фирмой-производителем микросхем. Их интерфейс полностью совпадает с интерфейсом обычных микросхем EPROM 27хх.
С программированием ПЗУ приходится сталкиваться при русификации графических адаптеров (CGA, MDA, HGC) и принтеров с незагружаемыми знакогенераторами, а также при замене (или восстановлении) системной микросхемы BIOS или микросхемы Boot ROM — микросхемы удаленной загрузки для адаптера локальной сети. Распространенные программаторы EPROM имеют интерфейс подключения к СОМ- или LPT-порту PC или подключаются через собственную карту расширения (обычно с шиной ISA). Время программирования зависит от типа и объема микросхемы и применяемого алгоритма программирования. Классический алгоритм с 50-миллисекундными импульсами записи каждой ячейки для современных микросхем практически не используется. Более быстрые «интеллигентные» алгоритмы позволяют записывать 8 килобайт (2764) менее чем за минуту. Вся процедура программирования может затягиваться при использовании медленного интерфейса связи программатора с PC (например, СОМ-порт на скорости 2400 бод) за счет длительной процедуры копирования данных в буфер программатора.
Интерфейс микросхем постоянной памяти в режиме чтения совпадает с интерфейсом статической памяти. Для программирования (записи) требуется приложение ко входу VPP напряжения программирования, которое для различных типов EPROM лежит в диапазоне 12–26 В (обычно указывается на корпусе микросхемы). Комбинации управляющих сигналов, формирующие импульсы записи для EPROM разной емкости, различны. При напряжении на входе VPP 5 В и ниже модификация памяти (запись) невозможна ни при каких комбинациях управляющих сигналов, и микросхемы работают строго в режиме ROM. Этот режим и используется для микросхем BIOS, так что никакой вирус им не страшен.
В PC чаще всего применяют микросхемы EPROM в корпусах DIP и PLCC (табл. 7.21), расположение выводов популярных микросхем приведено на рис. 7.18 и 7.19.
Рис. 7.18. Расположение выводов микросхем EPROM в корпусах DIP: a — DIP-24, б — DIP-28, в — DIP-32
Рис. 7.19. Расположение выводов микросхем EPROM в корпусах TSOP и PLCC: а — TSOP-32, б — PLCC-32
Таблица 7.21. Популярные микросхемы EPROM
| Микросхема и организация | Корпус | Рисунок | Примечание |
|---|---|---|---|
| 2716 — 2 К×8 | DIP-24 | 7.18, а | 20 = ОЕ#; 21 = Vpp |
| 2732 — 4 К×8 | DIP-24 | 7.18, а | 20 = OE#/Vpp, 21=A11 |
| 2764 — 8 К×8 | DIP-28 | 7.18, б | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = NC, 27 = PGM# |
| 27128 — 16 К×8 | DIP-28 | 7.18, б | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = A13, 27 = PGM# |
| 27256 — 32 К×8 | DIP-28 | 7.18, б | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = A13, 27 = A14 |
| 27512 — 64 К×8 | DIP-28 | 7.18, б | 1 = A15, 22 = OE#/Vpp, 26 = A13, 27 = A14 |
| 27010 — 128 К×8 | DIP-32 | 7.18, б | 30 = NC |
| 27010 — 128 К×8 | TSOP-32 | 7.19, а | 6 = NC |
| 27010 — 128 К×8 | PLCC-32 | 7.19, б | 30 = NC |
| 27020 — 256 К×8 | DIP-32 | 7.18, в | – |
| 27020 — 256 К×8 | TSOP-32 | 7.19, а | – |
| 27020 — 256 К×8 | PLCC-32 | 7.19, б | – |
Назначение выводов микросхем EPROM приведено в табл. 7.22.
Таблица 7.22. Назначение выводов микросхем EPROM
| Сигнал | Назначение |
|---|---|
| СЕ# | Chip Enable — разрешение доступа. Низкий уровень разрешает обращение |
| к микросхеме, высокий уровень переводит микросхему в режим пониженного потребления | |
| ОЕ# | Output Enable — разрешение выходных буферов. Низкий уровень при низком уровне СЕ# разрешает чтение данных из микросхемы. У некоторых типов микросхем на этот же вывод в режиме программирования подается напряжение VPP |
| DQx | Data Input/Output — двунаправленные линии шины данных. Время доступа при чтении отсчитывается от установки действительного адреса или сигнала СЕ# (в зависимости от того, что происходит позднее) |
| Ах | Address — входные линии шины адреса. Линия А9 допускает подачу высокого (12В) напряжения для чтения кода производителя (А0 = 0) и устройства (А0 = 1), при этом на остальные адресные линии подается логический ноль |
| PGM# | Programm — импульс программирования (некоторые микросхемы не имеют этого сигнала, их программирование осуществляется по сигналу СЕ# при высоком уровне VPP) |
| VPP | Программирующее напряжение питания (для некоторых типов — импульс) |
| VCC | Питание (+5 В) |
Отметим основные свойства EPROM.
♦ Стирание информации происходит сразу для всей микросхемы под воздействием облучения и занимает несколько минут. Стертые ячейки имеют единичные значения всех бит.
♦ Запись может производиться в любую часть микросхемы побайтно, в пределах байта можно маскировать запись отдельных бит, устанавливая им единичные значения данных.
♦ Защита от записи осуществляется подачей низкого (5 В) напряжения на вход VPP в рабочем режиме (только чтение).
♦ Защита от стирания производится заклейкой окна.
7.3.2. EEPROM и флэш-память
Электрически стираемая (и перезаписываемая) память EEPROM, или E²PROM (Electrical Erasable PROM), отличается простотой выполнения записи. В простейшем (для пользователя) случае программирование сводится к записи байта по требуемому адресу, после чего некоторое время микросхема не способна выполнять операции чтения/записи и по другим адресам, вплоть до окончания выполнения внутренней операции программирования (со встроенным стиранием). Микросхемы могут поддерживать и режим страничной записи (Page Write), в котором они принимают поток байт записи смежных ячеек в страничный буфер на нормальной скорости интерфейса, после чего вся страница записывается в энергонезависимую память. Страничная запись экономит время (запись страницы выполняется за то же время, что и одной ячейки), но размер страничного буфера, как правило, небольшой (4-32 байт для микросхем небольшого объема и до 128–256 байт — большого). Более сложный интерфейс записи использует систему команд, в которую могут входить команды разрешения/запрета стирания и записи, стирание (отдельной ячейки или всей памяти), запись. Микросхема может иметь и специальные внутренние регистры, например регистр состояния, определяющий готовность микросхемы к обмену данными и возможные режимы защиты от модификации ячеек. Некоторые старые микросхемы для стирания требуют подачи сравнительно высокого (12 В) напряжения на определенные выводы. По процедуре программирования некоторые микросхемы EEPROM схожи с флэш-памятью. В настоящее время EEPROM применяются наряду с флэш-памятью, причем они могут соседствовать даже в одной микросхеме (например, микроконтроллере). Это объясняется очень большим гарантированным числом циклов перезаписи (106 и более) EEPROM, но меньшим достижимым объемом. Также EEPROM обычно имеет и большее гарантированное время сохранности информации (до 100 лет). Флэш-память при большем объеме и более производительных способах записи и стирания допускает меньшее число циклов перезаписи, и время сохранения информации у нее меньше (может быть и всего 10 лет). Микросхемы EEPROM выпускаются с различными интерфейсами, последовательными (Serial EEPROM) с интерфейсами I²C, SPI и иными и параллельными (Parallel EEPROM) с интерфейсами статической памяти (и EPROM).
Флэш-память по определению относится к классу EEPROM (электрическое стирание), но использует особую технологию построения запоминающих ячеек. Стирание во флэш-памяти производится сразу для целой области ячеек (блоками или полностью всей микросхемы). Это позволило существенно повысить производительность в режиме записи (программирования). Флэш-память обладает сочетанием высокой плотности упаковки (ее ячейки на 30 % меньше ячеек DRAM), энергонезависимого хранения, электрического стирания и записи, низкого потребления, высокой надежности и невысокой стоимости. Первые микросхемы флэш-памяти были предложены фирмой Intel в 1988 году и с тех пор претерпели существенные изменения по архитектуре, интерфейсу и напряжению питания.
Каждая ячейка флэш-памяти состоит всего из одного униполярного (полевого) транзистора. Ячейки организованы в матрицу; разрядность данных внешнего интерфейса — 8 или 16 бит (ряд микросхем имеет переключаемую разрядность). Чистые (стертые) ячейки содержат единицу во всех битах; при записи (программировании) нужные биты обнуляются. Возможно последующее программирование и уже записанных ячеек, но при этом можно только обнулять единичные биты, но не наоборот. В единичное состояние ячейки переводятся только при стирании. Стирание выполняется для всей матрицы ячеек; стирание одиночной ячейки невозможно. Чтение флэш-памяти ничем не отличается от чтения любой другой памяти — подается адрес ячейки, и через некоторое время доступа (десятки-сотни не) на выходе появляются данные. Запись выглядит несколько сложнее — для программирования каждого байта (слова) приходится выполнять процедуру, состоящую из операций записи и считывания, адресованных к микросхеме флэш-памяти. Однако при этом шинные циклы обращения к микросхеме являются нормальными для процессора, а не растянутыми, как для EPROM и EEPROM. Таким образом, в устройстве с флэш-памятью легко реализуется возможность перепрограммирования без извлечения микросхем из устройства. Большинство микросхем флэш-памяти имеют интерфейс, аналогичный асинхронной статической памяти (SRAM), а при чтении он упрощается до интерфейса ROM/PROM/EPROM. Существуют версии с интерфейсом динамической памяти, асинхронным и синхронным, а также и со специальными интерфейсами, в том числе и I²С. Первые микросхемы работали только при напряжении питания 5 В, а для программирования и стирания требовали дополнительное питание VPP = +12 В. Затем появились микросхемы всего с одним напряжением питания +5 В. Дальнейшее развитие технологии позволило снизить напряжение питания до 2,7–3,3 В и 1,65-2,2 В, a VPP — до 5, 3,3, 2,7 и даже 1,65 В. В производстве микросхем используется технологические процессы с разрешением 0,3, 0,22, 0,18 мкм (чем мельче ячейки, тем они экономичнее). Микросхемы первых выпусков (1990 г.) имели гарантированное число циклов стирания-программирования 10 000, современные — 100 000.