Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Таблица 7.28. Команды флэш-памяти Am29F010

Команда	Reset/Read	Autoselect	Byte Program	Chip Erase	Sector Erase
Количество циклов	3	3	4	6	6
1-й цикл	Addr	5555h	5555h	5555h	5555h	5555h
Data	AAh	AAh	AAh	AAh	AAh
2-й цикл	Addr	2AAAh	2AAAh	2AAAh	2AAAh	2AAAh
Data	55h	55h	55h	55h	55h
3-й цикл	Addr	5555h	5555h	5555h	5555h	5555h
Data	F0h	90h	A0h	80h	80h
4-й цикл	Addr	–	XX00h/XX01h	PA¹	5555h	5555h
Data	–	01h/20h	PD²	AAh	AAh
5-й цикл	Addr	–	–	–	2AAAh	2AAAh
Data	–	–	–	55h	55h
6-й цикл	Addr	–	–	–	5555h	SA³
Data	–	–	–	10h	30h

¹ PA = адрес программируемой ячейки.

² PD = данные для записи в программируемую ячейку.

³ SA = адрес стираемого сектора (значимы биты A16, A15 и А14).

Микросхемы семейства Am29Fxxx выполняют все операции при одном питающем напряжении 5 В и имеют секторированную структуру (Sector Erase), симметричную (аналогично Flash File) или несимметричную (Boot Block), с верхним (T) и нижним (В) положением Boot-блока. С помощью программатора каждый сектор может быть защищен от модификации в целевой системе (в отличие от Intel способ установки и снятия защиты фирмой AMD широко не раскрывается). По расположению выводов и интерфейсу микросхемы соответствуют стандарту JEDEC для флэш-памяти с одним питающим напряжением. Микросхемы позволяют выполнять одновременное стирание группы секторов. Все эти микросхемы, кроме Am29F010, имеют возможность приостановки стирания сектора (Erase Suspend) для выполнения чтения других секторов, a Am29F080/016 позволяют еще и программировать байты во время приостановки стирания.

В командах значение бит A15, A16 существенно только при задании адреса ячейки. Ниже описано назначение команд.

♦ Reset/Read — сброс и перевод в режим считывания массива. Производится автоматически по включении питания и при получении некорректной команды (или адреса) в цепочке.

♦ Autоsеlесt — чтение кодов идентификации производителя (А=0), устройства (А=1) или состояния защиты сектора (биты A16– А14 задают адрес сектора, A2=1, остальные биты адреса — нулевые). Результат считывания состояния защищенного сектора — 01h, незащищенного — 00h. Идентификаторы и состояние защиты могут быть считаны и путем подачи высокого напряжения на вход А9 в шинном цикле считывания.

♦ Byte Program — программирование байта. После четвертого цикла шины начинается внутреннее выполнение программирования, при этом чтение по адресу программируемой ячейки выводит биты состояния.

♦ Chip Erase — стирание всех незащищенных секторов. На время выполнения стирания чтение по любому адресу (кроме адресов, принадлежащих защищенным секторам) выводит биты состояния.

♦ Sector Erase — стирание сектора или группы секторов. Стирание начинается через 80 мкс после окончания последнего шинного цикла цепочки. До этого момента можно посылать цепочки команд стирания других секторов, выполнение начнется через 80 мкс после окончания последней цепочки. Если среди указанных секторов имеется защищенный, его стирание не выполняется. На время выполнения стирания чтение по адресу любого из стираемых секторов (кроме защищенных) выводит биты состояния. Бит DQ3 — Sector Erase Timer — указывает на начало выполнения стирания сектора (очередную последовательность команд стирания сектора можно начинать, пока бит 3=0).

Следующим этапом стала секторированная флэш-память Am29LVxxx с одним питающим напряжением (3,0 В) для всех операций. У этих микросхем защита любого сектора также устанавливается с помощью программатора стандартной микросхемы EPROM, а также возможно временное снятие защиты в целевой системе. Кроме программной индикации окончания операции (биты 5–7, считанные по адресу ячейки), имеется и аппаратная (сигнал RY/BY#). Также имеется сигнал аппаратного сброса, переводящий в режим чтения.

Вышеперечисленные микросхемы имеют традиционную архитектуру NOR. От них значительно отличается микросхема Am30LV0064D — 64 Мбит (8 М×8) с архитектурой UltraNAND, обеспечивающей быстрый последовательный доступ к данным выбранной страницы. Каждая страница имеет 512 байт данных и 16 дополнительных байт, используемых, например, для хранения ЕСС-кода. Для выбора страницы при чтении (загрузки во внутренний 528-байтный регистр) требуется около 7 мкс, после чего данные считываются последовательно со скоростью до 20 Мбайт/с (50 нс/байт). Таким образом, среднее время на чтение одного байта составляет всего 65 нс. Для записи данные (страница полностью или частично) загружаются в регистр с той же скоростью, после чего запись их в массив хранящих ячеек требует всего 200 мкс. Таким образом, среднее время на запись одного байта составляет всего 430 нс — в 20 раз быстрее обычной (NOR) флэш-памяти (скорость записи 2,3 Мбайт/с). Стирание выполняется блоками по 8 Кбайт за 2 мс (в обычной — 600 мс). Микросхема питается от 3 В. Планируется достижение объема микросхемы до 1 Гбит. Надежность хранения — 10 лет, 10⁴ циклов безошибочного программирования, более 10⁶ циклов программирования с коррекцией ошибок. Применение — «твердые диски», цифровые камеры, диктофоны и т. п.

Флэш-память других фирм

Микросхемы флэш-памяти выпускаются многими фирмами. Они различаются по организации, интерфейсу, напряжению питания и программирования, методам защиты и другим параметрам. Лидеры в области разработки и производства флэш-памяти — фирмы AMD, Fujitsu Corporation, Intel Corporation и Sharp Corporation летом 1996 года приняли спецификацию CFI (Common Flash Memory Interface Specification), обеспечивающую совместимость разрабатываемого программного обеспечения с существующими и разрабатываемыми моделями флэш-памяти. Эта спецификация определяет механизм получения информации о производителе, организации, параметрах и возможных алгоритмах программирования микросхем флэш-памяти. Для этого микросхемы флэш-памяти должны поддерживать команду опроса QUERY. В первом шинном цикле в микросхему по адресу 55h посылается код 98h (микросхема может и игнорировать адрес, «отзываясь» только на код данных 98h). Во втором шинном цикле, адресованном к этой микросхеме, выполняется чтение данных идентификационной структуры (на шину адреса микросхемы подается адрес интересующего байта структуры). Этими парами циклов структура может быть считана в произвольном порядке. Идентификационная структура содержит:

♦ ключ-признак наличия структуры — цепочка символов «QRY»;

♦ идентификатор (2 байта) первичного набора команд и интерфейса программирования;

♦ указатель на таблицу параметров для программирования (и саму таблицу);

♦ идентификатор, указатель и таблицу параметров альтернативного набора команд и интерфейса (если имеется);

♦ минимальные и максимальные значения напряжений питания (основного и программирующего);

♦ значение тайм-аутов для операций стирания (блока и всей микросхемы) и записи (байта, слова, буфера);

♦ объем памяти;

♦ максимальное число байтов для многобайтной записи;

♦ описания независимо стираемых блоков.

Для перевода в режим чтения массива микросхемы должны воспринимать команду чтения массива Read Array — запись кода FFh (F0h) по любому адресу в микросхеме.

Для большинства изделий справедливы тенденции, описанные при рассмотрении микросхем Intel и AMD, а именно — повышение объема, снижение напряжений питания и потребляемой мощности, повышение производительности и упрощение внешнего интерфейса для операций стирания и программирования. По интерфейсу программирования микросхемы, у которых в начальной части обозначения стоит число «28», как правило, близки к флэш- памяти Intel, а с числом «29» — к флэш-памяти AMD.

Микросхемы с буферированным программированием или страничной записью (Fast Page Write) могут не иметь в своей системе команд отдельной операции стирания сектора. Внутренняя операция стирания (и предварительного обнуления сектора) выполняется при страничном программировании.

Для защиты от случайного выполнения ключевые последовательности команд содержат от 2 до 6 шинных циклов, причем у них может быть важен и адрес (как в микросхемах AMD). Методы защиты секторов имеют различную как программную, так и аппаратную реализацию. Для временного снятия защиты используют различные способы, одним из которых является ключевая последовательность семи шинных циклов чтения.

Микросхемы флэш-памяти Micron совместимы с Intel и обозначаются аналогично, но начинаются с признака MT28F. Среди них есть и особенные, например: MT28F321P2FG — 2 М×16 Page Flash Memory, MT28F322D18FH — 2 М×16 Burst Flash Memory.

Фирма Silicon Storage Technology выпускает разнообразные микросхемы флэш-памяти с одним напряжением питания для всех операций. Их свойства можно определить по обозначению вида SST xx YY zzz — ttt, где xx — семейство: