Русские ученые XX века

Умер Александр Михайлович в январе 2002 года, пережив своего ученика и аспиранта Н. Г. Басова всего на полгода.

Николай Геннадиевич Басов — русский физик, родился в 1922 году в городе Усмани Воронежской области в семье профессора Воронежского лесного института. В 1941 году окон-

чил школу, был призван в армию, служил на Украинском фронте. После демобилизации в 1945 году поступил в Московский инженерно-физический институт. С 1948 года, еще будучи студентом, работал лаборантом в Физическом институте имени П. Н. Лебедева (ФИАН). По окончании института Басов поступил в аспирантуру (его научными руководителями были М. А. Леонтович и А. М. Прохоров). В 1953 году защитил кандидатскую диссертацию, а в 1956 году— докторскую, посвященную теоретическим и экспериментальным исследованиям молекулярного генератора на аммиаке.

«За фундаментальную работу в области квантовой электроники, которая привела к созданию генераторов и усилителей, основанных на лазерно-мазерном принципе», Н. Г. Басов разделил в 1964 году Нобелевскую премию по физике с А. М. Прохоровым и Ч. Таунсом. Два советских физика — А. М. Прохоров и Н. Г. Басов — уже получили к тому времени за свою работу Ленинскую премию в 1959 году. В дальнейшем научная деятельность Н. Г. Басова была посвящена созданию самых различных типов лазеров: твердотельных, газовых, полупроводниковых, химических. В 1962 году Н. Г. Басов был избран членом-кор-респондентом, а в 1966 году — действительным членом Академии наук СССР.

В 1973 году Н. Г. Басов стал директором ФИАН и оставался на этом посту до своей смерти в июле 2001 года.

Жорес Иванович Алферов (р. 1930)

с^э

Жорес Иванович Алферов, выдающийся русский физик, самый «молодой» Нобелевский лауреат по физике, родился в 1930 году в Витебске. В 1945 году он поступил на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ).

В 1950 году Ж. И. Алферов заинтересовался полупроводниками, которые стали главным делом его жизни.

В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, Алферов был принят на работу в Физико-технический институт’ им. А. Ф. Иоффе в лабораторию В. М. Тучкевича. В первой половине 1950-х годов в институте создавались отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность.

Лаборатория В. М. Тучкевича занималась получением монокристаллов чистого германия и созданием на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Ж. И. Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. На основе этой работы Ж. И. Алферов в 1959 году защитил кандидатскую диссертацию.

В те годы появилась идея использования в технике гетеропереходов.

Гетеропереход — это контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками, а гетероструктура — это комбинация нескольких гетеропереходов, применяемых в полупроводниковых лазерах и светоизлучающих диодах. В полупроводниковом лазере активной средой служит полупроводниковый кристалл. А светоизлучающий диод (или светодиод) — это полупроводниковый прибор, дающий одноцветное оптическое излучение.

Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.

В то время попытки создать приборы с использованием гетеропереходов заканчивались неудачей, и это направление даже считалось бесперспективным.

Но Жоресу Ивановичу удалось создать близкий к идеальному гетеропереход, который и определил успех. Он был осуществлен с помощью широко известной теперь в мире микроэлектроники гетероперехода. Ж. И. Алферов со своими сотрудниками создали на ее основе гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, и первый в мире полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Открытие Ж. И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений в гетероструктурах дало возможность кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Созданные полупроводниковые лазеры нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

На основе этих работ Ж. И. Алферов в 1970 году защитил докторскую диссертацию, а в 1972 году получил Ленинскую премию.

Разработка Ж. И. Алферовым в 1970-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе гетероструктур позволила (впервые в мире) организовать в России крупномасштабное производство гетеро-структурных солнечных элементов для космических батарей. Такая батарея была установлена в 1986 году на космической станции «Мир» и проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.

Жорес Иванович Алферов — прямой наследник А. Ф. Иоффе как в исследованиях полупроводников, так и в качестве многолетнего директора Физтеха. Также как А. Ф. Иоффе, он заботится о научной смене. Он организовал в ЛЭТИ базовую кафедру оптоэлектроники, а в 1999 году создал научно-образовательный центр в Политехническом институте.

Ж. И. Алферов заложил новое направление в электронике, известное как «зонная инженерия».

В 2000 году Ж. И. Алферов вместе с Г. Кремером и Д. Килби был удостоен Нобелевской премии по физике. Ж. И. Алферов и Г. Кремер получили премию за «работы по получению полупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров». Джек Килби удостоен награды за работы в области интегральных схем.

Современные информационные системы должны быть быстрыми, чтобы передавать большой объем информации за короткий промежуток времени, и компактными, чтобы уместиться в офисе, дома, в портфеле или кармане.

Своими открытиями Жорес Алферов и Герберт Кремер создали основу такой современной техники. Они открыли и развили быстрые опто- и микроэлектронные компоненты, которые создаются на базе многослойных полупроводниковых гетероструктур.

Гетеролазеры передают, а гетероприемники принимают информационные потоки по волоконно-оптическим линиям связи. Гетеролазеры есть в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих (то есть расшифровывающих) товарные ярлыки, в лазерных указках и во многих других приборах.

На основе гетероструктур созданы мощные высокоэффективные светоизлучающие диоды, используемые в дисплеях (то есть экранах компьютеров), лампах Освещения в автомобилях и светофорах. В гетероструктурных солнечных батареях, которые широко применяются в космической и наземной энергетике, достигнуты рекордные по эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Создатели русской авиации

Первый полет на самолете собственной конструкции совершили в 1903 году американские изобретатели Уилбер и Орвилл Райт. И сразу же повальное увлечение полетами на самолетах охватило весь мир — сначала США, потом Францию, ставшую законодательницей авиационной «моды», а вскоре и Россию. Сначала полеты самолетов воспринимались просто как цирковой аттракцион, но уже очень скоро несомненная польза авиации стала очевидной. Началось бурное развитие авиации под лозунгом: «Выше, дальше, быстрее!»