Искусство схемотехники. Том 3 (Изд.4-е)
Шрифт:
1 — плоский D-образный корпус для обеспечения монтажа на плоской плате;
2 — прочный, литой, высокотемпературный, прессованный, влагоустойчивый пластмассовый корпус;
3 — расположение вывода легко приспосабливается к стандартному кругу выводов ТО-18;
4 — овальные позолоченные выводы длиной 19/32 дюйма позволяют надежно паять соединение.
Кремниевые n-р-n– транзисторы типа ANNULARE [6]
… предназначены для ключевых схем общего назначения, усилительных схем и для использования в комплементарных схемах совместно с p-n-p– транзисторами типа 2N4402 и 2N4403.
• Высокое
• Усиление по току определяется в пределах от 0,1 до 500 мА.
• Низкое напряжение насыщения Uкэ (нас) = 0,4 В (макс.) при Iк = 150 мА.
• Полный перечень переключательных и усилительных характеристик.
• Литой корпус типа Injection-Molded Unibloc[7].
Схема ТО-92.
Эквивалентные схемы для измерения времени переключения
Рис. 1. Время включения.
Время нарастания осциллографа < 4 нс, * полная шунтирующая емкость испытательного стенда, соединений и осциллографа.
Рис. 2. Время выключения.
Переходные характеристики
На рис. 3–8: 25 °C, — 100 °C.
Рис. 3. Емкости.
Рис. 4. Характеристики заряда.
Рис. 5. Время включения.
Рис. 6. Время нарастания и время спада.
Рис. 7. Время хранения.
Рис. 8. Время спада.
Характеристики малого сигнала
Коэффициент шума
Uкэ = 10 В пост. тока, Токр = 25 °C
Рис. 9. Влияние частоты.
Рис. 10. Влияние сопротивления источника.
h– параметры
Uкэ = 10 В пост, тока, f = 1 кГц, Токр = 25 °C.
Эта группа графиков иллюстрирует взаимосвязь между h21эи другими h– параметрами для транзисторов этой серии. Для получения этих кривых были отобраны элементы с высоким и низким коэффициентом усиления среди транзисторов типа 2N4400 и 2N4401, соответствующие номера элементов проставлены на каждом из графиков.
Рис. 11. Коэффициент усиления по току.
Рис. 12. Входное сопротивление.
Рис. 13. Коэффициент обратной связи по напряжению.
Рис. 14. Выходная проводимость.
Статические характеристики
Рис. 15. Коэффициент усиления по постоянному току.
Рис. 16. Область насыщения коллектора.
Рис. 17. Напряжения «включенного» состояния.
Рис. 18. Температурные коэффициенты.
Операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом с небольшим напряжением сдвига, малым дрейфом LF411A/LF411 (National Semiconductor)
Общее описание. Эти недорогие, быстродействующие элементы представляют собой операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n– переходом с очень небольшим напряжением сдвига и гарантированным малым дрейфом этого напряжения. Для них требуется небольшой питающий ток, при этом обеспечивается высокое значение произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания и высокая скорость нарастания. Кроме того, хорошо согласованные высоковольтные ОУ с входами на полевых транзисторах с p-n– переходом характеризуются малым входным током смещения и малым током сдвига. По выводам элемент LF411 совместим со стандартным элементом LM741, а это значит, что разработчик может моментально улучшить характеристики уже существующих приборов.