Искусство схемотехники. Том 3 (Изд.4-е)

Эти усилители можно рекомендовать к использованию в качестве быстродействующих интеграторов, быстродействующих цифро-аналоговых преобразователей, схем выборки и запоминания и прочих схем, требующих небольшого напряжения сдвига и небольшого дрейфа этого напряжения, малого входного тока смещения, большого входного импеданса, высокой скорости нарастания и широкой полосы пропускания.

Свойства:

• внутренняя регулировка напряжения сдвига… 0,5 мВ (макс.)

• дрейф входного напряжения сдвига… 10 мкВ/°С (макс.)

• малый входной ток сдвига… 50 пА

• малый входной шумовой ток… 0,01 пА/Гц

• широкая полоса пропускания… 3 МГц (мин.)

• высокая скорость нарастания… 10 В/мкс (мин.)

• небольшой потребляемый ток… 1,8 мА

• высокий входной импеданс… 10¹² Ом

• небольшое искажение гармонической составляющей, при К_U = 10, R_н = 10 кОм, Uвнх = 2U_{от пика до пика}, ширина полосы = 20 Гц-20 кГц… < 0,02 %

• небольшой угол наклона характеристики 1/f… 50 Гц

• быстрое установление до 0,01 %… 2 мкс

Типовое соединение

X — электрический класс

Y — температурный диапазон

«М» — военный стандарт,

«С» — коммерческий стандарт

Z — тип корпуса «Н» или «N»

Упрощенная схема

BI-FET II™ — торговая марка фирмы National Semiconductor Corp.

Схема соединений

Металлический корпус

Вид сверху. Примечание: выход 4 соединен с корпусом. Порядковый номер LF411AMH, LF411MH, LF411CH или LF411CH, см. корпус типа Н08Н фирмы National Semiconductor.

Корпус с двухрядным расположением выводов

Вид сверху. Порядковый номер LF411ACH или LF411CN, см. корпус типа N08E фирмы National Semiconductor.

Предельно допустимые значения параметров. Если элементы преназначаются для военных/аэрокосмических приборов, просим связаться с торговым отделом фирмы National Semiconductor по вопросу наличия и характеристик (см. примеч. 8).

_{Примечание 1. Если не указано иное, абсолютное максимальное значение отрицательного входного напряжения равно отрицательному напряжению питания.}

_{Примечание 2. В условиях работы при повышенной температуре следует учитывать температурное сопротивление п окр.}

_{Примечание 3. Эти} элементы предназначаются как для коммерческого диапазона температур, 0 °C <= Токр <= 70 °C, так и для военного диапазона, — 55 °C <= Токр <= 125 °C Диапазон температур обозначается символом, который стоит в серийном номере перед обозначением типа корпуса. Символ «С» указывает на коммерческий диапазон температур, символ «М» — на военный. Для военного диапазона температур предназначен только корпус типа «Н».

_{Примечание 4. Если не указано иное, то характеристики относятся к полному температурному диапазону при условии, что Uи = ±20 В для LF411A и Uи = ±15 В для LF411. Значения Uсдв, Uсм и Iсдв измеряются приUcc = 0.}

_{Примечание 5. Элемент LF411A проверяется на соответствие характеристикам в полном объеме партии — 100 %. Элемент LF411 подвергается выборочной проверке, характеристикам должны соответствовать не менее 90 % элементов из партии.}

_{Примечание 6. Входные токи смещения представляют собой токи утечки переходов, они удваиваются каждый раз при увеличении температуры переходаIп на 10 °C. В связи с тем что время испытаний продукции ограничено, входные токи смещения коррелированы с температурой перехода. При нормальной работе температура перехода в результате внутреннего рассеивания Ррасс превышает температуру окружающей среды Тп = Токр + п окрРрасс, где п окр — температурное сопротивление между переходом и окружающей средой. Теплоотвод рекомендуется использовать в тех случаях, когда входной ток смещения должен быть минимальным.}

_{Примечание 7. Коэффициент ослабления влияния напряжения источника питания в соответствии с принятой методикой измеряется при одновременном увеличении или уменьшении обоих источников, от ±15 В до ±5 В для LF411 и от ±20 В до ±5 В для LF411А.}

_{Примечание 8. Военные характеристики для элемента LF411AMH можно найти в документации RETS 411АХ, для элемента LF411MH — в документации RETS 411Х.}

_{Примечание 9. Максимальная мощность рассеивания определяется свойствами корпуса Если рабочая рассеиваемая мощность близка к максимальной, то возможно превышение предельных значений характеристик.}

Типовые характеристики

Импульсная характеристика, R_н = 2 кОм, С = 10 пФ